onsemi (Ansemi)
Billedet kan være en repræsentation.
Se specifikationer for produktdetaljer.
NCP5106BDR2G Half Bridge IGBT MOSFET Sink 500mA Source 250mA MOSFET/IGBT Driver, High Voltage, High Voltage and Low Side

NCP5106BDR2G

Half Bridge IGBT MOSFET Sink 500mA Source 250mA MOSFET/IGBT Driver, High Voltage, High Voltage and Low Side
Varenummer
NCP5106BDR2G
Kategori
Power Chip > Gate Driver IC
Producent/Mærke
onsemi (Ansemi)
Indkapsling
SOIC-8-150mil
Pakning
taping
Antal pakker
2500
Beskrivelse
The NCP5106 is a high voltage gate driver integrated circuit providing two outputs for direct drive of 2 N-channel power MOSFETs or IGBTs in half-bridge configuration version B or any other high side + low side configuration version A. It uses a bootstrap technique to ensure proper driving of the high side power switch. The driver uses 2 independent inputs. NCP5109 = 200V, NCP5106 = 600V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 75348 PCS
Kontakt information
Nøgleord afNCP5106BDR2G
NCP5106BDR2G Elektroniske komponenter
NCP5106BDR2G Salg
NCP5106BDR2G Leverandør
NCP5106BDR2G Distributør
NCP5106BDR2G Datatabel
NCP5106BDR2G Fotos
NCP5106BDR2G Pris
NCP5106BDR2G Tilbud
NCP5106BDR2G Laveste pris
NCP5106BDR2G Søg
NCP5106BDR2G Indkøb
NCP5106BDR2G Chip