Billedet kan være en repræsentation. Se specifikationer for produktdetaljer.
NCP5106BDR2G
Half Bridge IGBT MOSFET Sink 500mA Source 250mA MOSFET/IGBT Driver, High Voltage, High Voltage and Low Side
Varenummer
NCP5106BDR2G
Kategori
Power Chip > Gate Driver IC
Producent/Mærke
onsemi (Ansemi)
Indkapsling
SOIC-8-150mil
Pakning
taping
Antal pakker
2500
Beskrivelse
The NCP5106 is a high voltage gate driver integrated circuit providing two outputs for direct drive of 2 N-channel power MOSFETs or IGBTs in half-bridge configuration version B or any other high side + low side configuration version A. It uses a bootstrap technique to ensure proper driving of the high side power switch. The driver uses 2 independent inputs. NCP5109 = 200V, NCP5106 = 600V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.