ALD1110EPAL
MOSFET 2N-CH 10V 8DIP
Varenummer
ALD1110EPAL
Producent/Mærke
Serie
EPAD®
Del status
Active
Emballage
Tube
Driftstemperatur
0°C ~ 70°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke/etui
8-DIP (0.300", 7.62mm)
Effekt - Maks
600mW
Leverandørenhedspakke
8-PDIP
FET type
2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET-funktion
Standard
Dræn til kildespænding (Vdss)
10V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
500 Ohm @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.01V @ 1µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
-
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2.5pF @ 5V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 40204 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afALD1110EPAL
ALD1110EPAL Elektroniske komponenter
ALD1110EPAL Salg
ALD1110EPAL Leverandør
ALD1110EPAL Distributør
ALD1110EPAL Datatabel
ALD1110EPAL Fotos
ALD1110EPAL Pris
ALD1110EPAL Tilbud
ALD1110EPAL Laveste pris
ALD1110EPAL Søg
ALD1110EPAL Indkøb
ALD1110EPAL Chip