Billedet kan være en repræsentation.
Se specifikationer for produktdetaljer.
EPC2010

EPC2010

TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE
Varenummer
EPC2010
Producent/Mærke
Serie
eGaN®
Del status
Discontinued at Digi-Key
Emballage
Digi-Reel®
Teknologi
GaNFET (Gallium Nitride)
Driftstemperatur
-40°C ~ 125°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
Die
Leverandørenhedspakke
Die
Effekttab (maks.)
-
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
200V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
25 mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 3mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
7.5nC @ 5V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
540pF @ 100V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Vgs (maks.)
+6V, -4V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 43732 PCS
Kontakt information
Nøgleord afEPC2010
EPC2010 Elektroniske komponenter
EPC2010 Salg
EPC2010 Leverandør
EPC2010 Distributør
EPC2010 Datatabel
EPC2010 Fotos
EPC2010 Pris
EPC2010 Tilbud
EPC2010 Laveste pris
EPC2010 Søg
EPC2010 Indkøb
EPC2010 Chip