Billedet kan være en repræsentation.
Se specifikationer for produktdetaljer.
EPC2012

EPC2012

TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE
Varenummer
EPC2012
Producent/Mærke
Serie
eGaN®
Del status
Discontinued at Digi-Key
Emballage
Tape & Reel (TR)
Teknologi
GaNFET (Gallium Nitride)
Driftstemperatur
-40°C ~ 125°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
Die
Leverandørenhedspakke
Die
Effekttab (maks.)
-
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
200V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100 mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
1.8nC @ 5V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
145pF @ 100V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Vgs (maks.)
+6V, -5V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 33217 PCS
Kontakt information
Nøgleord afEPC2012
EPC2012 Elektroniske komponenter
EPC2012 Salg
EPC2012 Leverandør
EPC2012 Distributør
EPC2012 Datatabel
EPC2012 Fotos
EPC2012 Pris
EPC2012 Tilbud
EPC2012 Laveste pris
EPC2012 Søg
EPC2012 Indkøb
EPC2012 Chip