Billedet kan være en repræsentation.
Se specifikationer for produktdetaljer.
EPC2019

EPC2019

TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE
Varenummer
EPC2019
Producent/Mærke
Serie
eGaN®
Del status
Active
Emballage
Digi-Reel®
Teknologi
GaNFET (Gallium Nitride)
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
Die
Leverandørenhedspakke
Die
Effekttab (maks.)
-
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
200V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
50 mOhm @ 7A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
2.5nC @ 5V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
270pF @ 100V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Vgs (maks.)
+6V, -4V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 47054 PCS
Kontakt information
Nøgleord afEPC2019
EPC2019 Elektroniske komponenter
EPC2019 Salg
EPC2019 Leverandør
EPC2019 Distributør
EPC2019 Datatabel
EPC2019 Fotos
EPC2019 Pris
EPC2019 Tilbud
EPC2019 Laveste pris
EPC2019 Søg
EPC2019 Indkøb
EPC2019 Chip