Billedet kan være en repræsentation.
Se specifikationer for produktdetaljer.
EPC2022

EPC2022

TRANS GAN 100V 3MOHM BUMPED DIE
Varenummer
EPC2022
Producent/Mærke
Serie
eGaN®
Del status
Active
Emballage
Digi-Reel®
Teknologi
GaNFET (Gallium Nitride)
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
Die
Leverandørenhedspakke
Die
Effekttab (maks.)
-
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
100V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.2 mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 12mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
-
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1500pF @ 50V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Vgs (maks.)
+6V, -4V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 28533 PCS
Kontakt information
Nøgleord afEPC2022
EPC2022 Elektroniske komponenter
EPC2022 Salg
EPC2022 Leverandør
EPC2022 Distributør
EPC2022 Datatabel
EPC2022 Fotos
EPC2022 Pris
EPC2022 Tilbud
EPC2022 Laveste pris
EPC2022 Søg
EPC2022 Indkøb
EPC2022 Chip