Billedet kan være en repræsentation.
Se specifikationer for produktdetaljer.
EPC2100ENG

EPC2100ENG

TRANS GAN 2N-CH 30V BUMPED DIE
Varenummer
EPC2100ENG
Producent/Mærke
Serie
eGaN®
Del status
Discontinued at Digi-Key
Emballage
Tray
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
Die
Effekt - Maks
-
Leverandørenhedspakke
Die
FET type
2 N-Channel (Half Bridge)
FET-funktion
GaNFET (Gallium Nitride)
Dræn til kildespænding (Vdss)
30V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
10A (Ta), 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 27401 PCS
Kontakt information
Nøgleord afEPC2100ENG
EPC2100ENG Elektroniske komponenter
EPC2100ENG Salg
EPC2100ENG Leverandør
EPC2100ENG Distributør
EPC2100ENG Datatabel
EPC2100ENG Fotos
EPC2100ENG Pris
EPC2100ENG Tilbud
EPC2100ENG Laveste pris
EPC2100ENG Søg
EPC2100ENG Indkøb
EPC2100ENG Chip