Billedet kan være en repræsentation.
Se specifikationer for produktdetaljer.
EPC2101ENG

EPC2101ENG

TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE
Varenummer
EPC2101ENG
Producent/Mærke
Serie
eGaN®
Del status
Discontinued at Digi-Key
Emballage
Tray
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
Die
Effekt - Maks
-
Leverandørenhedspakke
Die
FET type
2 N-Channel (Half Bridge)
FET-funktion
GaNFET (Gallium Nitride)
Dræn til kildespænding (Vdss)
60V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
9.5A, 38A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11.5 mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 2mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
2.7nC @ 5V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
300pF @ 30V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 30383 PCS
Kontakt information
Nøgleord afEPC2101ENG
EPC2101ENG Elektroniske komponenter
EPC2101ENG Salg
EPC2101ENG Leverandør
EPC2101ENG Distributør
EPC2101ENG Datatabel
EPC2101ENG Fotos
EPC2101ENG Pris
EPC2101ENG Tilbud
EPC2101ENG Laveste pris
EPC2101ENG Søg
EPC2101ENG Indkøb
EPC2101ENG Chip