Billedet kan være en repræsentation.
Se specifikationer for produktdetaljer.
EPC2101ENGRT

EPC2101ENGRT

TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID
Varenummer
EPC2101ENGRT
Producent/Mærke
Serie
eGaN®
Del status
Active
Emballage
Digi-Reel®
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
Die
Effekt - Maks
-
Leverandørenhedspakke
Die
FET type
2 N-Channel (Half Bridge)
FET-funktion
GaNFET (Gallium Nitride)
Dræn til kildespænding (Vdss)
60V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
9.5A, 38A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11.5 mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 2mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
2.7nC @ 5V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
300pF @ 30V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 9542 PCS
Kontakt information
Nøgleord afEPC2101ENGRT
EPC2101ENGRT Elektroniske komponenter
EPC2101ENGRT Salg
EPC2101ENGRT Leverandør
EPC2101ENGRT Distributør
EPC2101ENGRT Datatabel
EPC2101ENGRT Fotos
EPC2101ENGRT Pris
EPC2101ENGRT Tilbud
EPC2101ENGRT Laveste pris
EPC2101ENGRT Søg
EPC2101ENGRT Indkøb
EPC2101ENGRT Chip