Billedet kan være en repræsentation.
Se specifikationer for produktdetaljer.
EPC2102ENG

EPC2102ENG

TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE
Varenummer
EPC2102ENG
Producent/Mærke
Serie
eGaN®
Del status
Discontinued at Digi-Key
Emballage
Tray
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
Die
Effekt - Maks
-
Leverandørenhedspakke
Die
FET type
2 N-Channel (Half Bridge)
FET-funktion
GaNFET (Gallium Nitride)
Dræn til kildespænding (Vdss)
60V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
23A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.4 mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 7mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
6.8nC @ 5V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
830pF @ 30V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 26363 PCS
Kontakt information
Nøgleord afEPC2102ENG
EPC2102ENG Elektroniske komponenter
EPC2102ENG Salg
EPC2102ENG Leverandør
EPC2102ENG Distributør
EPC2102ENG Datatabel
EPC2102ENG Fotos
EPC2102ENG Pris
EPC2102ENG Tilbud
EPC2102ENG Laveste pris
EPC2102ENG Søg
EPC2102ENG Indkøb
EPC2102ENG Chip