Billedet kan være en repræsentation.
Se specifikationer for produktdetaljer.
EPC2102ENGRT

EPC2102ENGRT

MOSFET 2 N-CHANNEL 60V 23A DIE
Varenummer
EPC2102ENGRT
Producent/Mærke
Serie
eGaN®
Del status
Active
Emballage
Cut Tape (CT)
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
Die
Effekt - Maks
-
Leverandørenhedspakke
Die
FET type
2 N-Channel (Half Bridge)
FET-funktion
GaNFET (Gallium Nitride)
Dræn til kildespænding (Vdss)
60V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
23A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.4 mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 7mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
6.8nC @ 5V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
830pF @ 30V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 11419 PCS
Kontakt information
Nøgleord afEPC2102ENGRT
EPC2102ENGRT Elektroniske komponenter
EPC2102ENGRT Salg
EPC2102ENGRT Leverandør
EPC2102ENGRT Distributør
EPC2102ENGRT Datatabel
EPC2102ENGRT Fotos
EPC2102ENGRT Pris
EPC2102ENGRT Tilbud
EPC2102ENGRT Laveste pris
EPC2102ENGRT Søg
EPC2102ENGRT Indkøb
EPC2102ENGRT Chip