Billedet kan være en repræsentation.
Se specifikationer for produktdetaljer.
EPC2103ENG

EPC2103ENG

TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE
Varenummer
EPC2103ENG
Producent/Mærke
Serie
eGaN®
Del status
Active
Emballage
Tray
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
Die
Effekt - Maks
-
Leverandørenhedspakke
Die
FET type
2 N-Channel (Half Bridge)
FET-funktion
GaNFET (Gallium Nitride)
Dræn til kildespænding (Vdss)
80V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
23A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.5 mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 7mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
6.5nC @ 5V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
760pF @ 40V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 44249 PCS
Kontakt information
Nøgleord afEPC2103ENG
EPC2103ENG Elektroniske komponenter
EPC2103ENG Salg
EPC2103ENG Leverandør
EPC2103ENG Distributør
EPC2103ENG Datatabel
EPC2103ENG Fotos
EPC2103ENG Pris
EPC2103ENG Tilbud
EPC2103ENG Laveste pris
EPC2103ENG Søg
EPC2103ENG Indkøb
EPC2103ENG Chip