Billedet kan være en repræsentation.
Se specifikationer for produktdetaljer.
EPC2105ENG

EPC2105ENG

TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE
Varenummer
EPC2105ENG
Producent/Mærke
Serie
eGaN®
Del status
Discontinued at Digi-Key
Emballage
Bulk
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
Die
Effekt - Maks
-
Leverandørenhedspakke
Die
FET type
2 N-Channel (Half Bridge)
FET-funktion
GaNFET (Gallium Nitride)
Dræn til kildespænding (Vdss)
80V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
9.5A, 38A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14.5 mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
2.5nC @ 5V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
300pF @ 40V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 17604 PCS
Kontakt information
Nøgleord afEPC2105ENG
EPC2105ENG Elektroniske komponenter
EPC2105ENG Salg
EPC2105ENG Leverandør
EPC2105ENG Distributør
EPC2105ENG Datatabel
EPC2105ENG Fotos
EPC2105ENG Pris
EPC2105ENG Tilbud
EPC2105ENG Laveste pris
EPC2105ENG Søg
EPC2105ENG Indkøb
EPC2105ENG Chip