Billedet kan være en repræsentation.
Se specifikationer for produktdetaljer.
EPC2107ENGRT

EPC2107ENGRT

TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE
Varenummer
EPC2107ENGRT
Producent/Mærke
Serie
eGaN®
Del status
Active
Emballage
Tape & Reel (TR)
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
9-VFBGA
Effekt - Maks
-
Leverandørenhedspakke
9-BGA (1.35x1.35)
FET type
3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
FET-funktion
GaNFET (Gallium Nitride)
Dræn til kildespænding (Vdss)
100V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
1.7A, 500mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
16pF @ 50V, 7pF @ 50V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 26269 PCS
Kontakt information
Nøgleord afEPC2107ENGRT
EPC2107ENGRT Elektroniske komponenter
EPC2107ENGRT Salg
EPC2107ENGRT Leverandør
EPC2107ENGRT Distributør
EPC2107ENGRT Datatabel
EPC2107ENGRT Fotos
EPC2107ENGRT Pris
EPC2107ENGRT Tilbud
EPC2107ENGRT Laveste pris
EPC2107ENGRT Søg
EPC2107ENGRT Indkøb
EPC2107ENGRT Chip