Billedet kan være en repræsentation.
Se specifikationer for produktdetaljer.
EPC2110

EPC2110

MOSFET 2NCH 120V 3.4A DIE
Varenummer
EPC2110
Producent/Mærke
Serie
eGaN®
Del status
Active
Emballage
Cut Tape (CT)
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
-
Pakke/etui
Die
Effekt - Maks
-
Leverandørenhedspakke
Die
FET type
2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-funktion
GaNFET (Gallium Nitride)
Dræn til kildespænding (Vdss)
120V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
3.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
60 mOhm @ 4A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 700µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
0.8nC @ 5V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
80pF @ 60V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 42123 PCS
Kontakt information
Nøgleord afEPC2110
EPC2110 Elektroniske komponenter
EPC2110 Salg
EPC2110 Leverandør
EPC2110 Distributør
EPC2110 Datatabel
EPC2110 Fotos
EPC2110 Pris
EPC2110 Tilbud
EPC2110 Laveste pris
EPC2110 Søg
EPC2110 Indkøb
EPC2110 Chip