Billedet kan være en repræsentation.
Se specifikationer for produktdetaljer.
EPC2110ENGRT

EPC2110ENGRT

TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE
Varenummer
EPC2110ENGRT
Producent/Mærke
Serie
eGaN®
Del status
Active
Emballage
Digi-Reel®
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
Die
Effekt - Maks
-
Leverandørenhedspakke
Die
FET type
2 N-Channel (Dual) Common Source
FET-funktion
GaNFET (Gallium Nitride)
Dræn til kildespænding (Vdss)
120V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
3.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
60 mOhm @ 4A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 700µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
0.8nC @ 5V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
80pF @ 60V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 41507 PCS
Kontakt information
Nøgleord afEPC2110ENGRT
EPC2110ENGRT Elektroniske komponenter
EPC2110ENGRT Salg
EPC2110ENGRT Leverandør
EPC2110ENGRT Distributør
EPC2110ENGRT Datatabel
EPC2110ENGRT Fotos
EPC2110ENGRT Pris
EPC2110ENGRT Tilbud
EPC2110ENGRT Laveste pris
EPC2110ENGRT Søg
EPC2110ENGRT Indkøb
EPC2110ENGRT Chip