GP1M003A080H
MOSFET N-CH 800V 3A TO220
Varenummer
GP1M003A080H
Producent/Mærke
Serie
-
Del status
Obsolete
Emballage
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke/etui
TO-220-3
Leverandørenhedspakke
TO-220
Effekttab (maks.)
94W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
800V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.2 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
19nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
696pF @ 25V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 11729 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afGP1M003A080H
GP1M003A080H Elektroniske komponenter
GP1M003A080H Salg
GP1M003A080H Leverandør
GP1M003A080H Distributør
GP1M003A080H Datatabel
GP1M003A080H Fotos
GP1M003A080H Pris
GP1M003A080H Tilbud
GP1M003A080H Laveste pris
GP1M003A080H Søg
GP1M003A080H Indkøb
GP1M003A080H Chip