GP1M010A080N
MOSFET N-CH 900V 10A TO3PN
Varenummer
GP1M010A080N
Producent/Mærke
Serie
-
Del status
Obsolete
Emballage
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke/etui
TO-3P-3, SC-65-3
Leverandørenhedspakke
TO-3PN
Effekttab (maks.)
312W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
900V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.05 Ohm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
53nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2336pF @ 25V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 53973 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afGP1M010A080N
GP1M010A080N Elektroniske komponenter
GP1M010A080N Salg
GP1M010A080N Leverandør
GP1M010A080N Distributør
GP1M010A080N Datatabel
GP1M010A080N Fotos
GP1M010A080N Pris
GP1M010A080N Tilbud
GP1M010A080N Laveste pris
GP1M010A080N Søg
GP1M010A080N Indkøb
GP1M010A080N Chip