GP1M020A050N
MOSFET N-CH 500V 20A TO3PN
Varenummer
GP1M020A050N
Producent/Mærke
Serie
-
Del status
Obsolete
Emballage
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke/etui
TO-3P-3, SC-65-3
Leverandørenhedspakke
TO-3PN
Effekttab (maks.)
312W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
500V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
300 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
54nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3094pF @ 25V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 26360 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afGP1M020A050N
GP1M020A050N Elektroniske komponenter
GP1M020A050N Salg
GP1M020A050N Leverandør
GP1M020A050N Distributør
GP1M020A050N Datatabel
GP1M020A050N Fotos
GP1M020A050N Pris
GP1M020A050N Tilbud
GP1M020A050N Laveste pris
GP1M020A050N Søg
GP1M020A050N Indkøb
GP1M020A050N Chip