Billedet kan være en repræsentation.
Se specifikationer for produktdetaljer.
GP2M002A065HG

GP2M002A065HG

MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220
Varenummer
GP2M002A065HG
Serie
-
Del status
Obsolete
Emballage
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke/etui
TO-220-3
Leverandørenhedspakke
TO-220
Effekttab (maks.)
52W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
650V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.6 Ohm @ 900mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
8.5nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
353pF @ 25V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 30703 PCS
Kontakt information
Nøgleord afGP2M002A065HG
GP2M002A065HG Elektroniske komponenter
GP2M002A065HG Salg
GP2M002A065HG Leverandør
GP2M002A065HG Distributør
GP2M002A065HG Datatabel
GP2M002A065HG Fotos
GP2M002A065HG Pris
GP2M002A065HG Tilbud
GP2M002A065HG Laveste pris
GP2M002A065HG Søg
GP2M002A065HG Indkøb
GP2M002A065HG Chip