GP2M010A065H
MOSFET N-CH 650V 9.5A TO220
Varenummer
GP2M010A065H
Producent/Mærke
Serie
-
Del status
Obsolete
Emballage
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke/etui
TO-220-3
Leverandørenhedspakke
TO-220
Effekttab (maks.)
198W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
650V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
820 mOhm @ 4.75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
36nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1670pF @ 25V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 17487 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afGP2M010A065H
GP2M010A065H Elektroniske komponenter
GP2M010A065H Salg
GP2M010A065H Leverandør
GP2M010A065H Distributør
GP2M010A065H Datatabel
GP2M010A065H Fotos
GP2M010A065H Pris
GP2M010A065H Tilbud
GP2M010A065H Laveste pris
GP2M010A065H Søg
GP2M010A065H Indkøb
GP2M010A065H Chip