BSO615NGHUMA1
MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC
Varenummer
BSO615NGHUMA1
Producent/Mærke
Serie
SIPMOS®
Del status
Active
Emballage
Cut Tape (CT)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Effekt - Maks
2W
Leverandørenhedspakke
PG-DSO-8
FET type
2 N-Channel (Dual)
FET-funktion
Logic Level Gate
Dræn til kildespænding (Vdss)
60V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
2.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
150 mOhm @ 2.6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 20µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
380pF @ 25V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 40800 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afBSO615NGHUMA1
BSO615NGHUMA1 Elektroniske komponenter
BSO615NGHUMA1 Salg
BSO615NGHUMA1 Leverandør
BSO615NGHUMA1 Distributør
BSO615NGHUMA1 Datatabel
BSO615NGHUMA1 Fotos
BSO615NGHUMA1 Pris
BSO615NGHUMA1 Tilbud
BSO615NGHUMA1 Laveste pris
BSO615NGHUMA1 Søg
BSO615NGHUMA1 Indkøb
BSO615NGHUMA1 Chip