IPB06CN10N G
MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
Varenummer
IPB06CN10N G
Producent/Mærke
Serie
OptiMOS™
Del status
Obsolete
Emballage
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverandørenhedspakke
D²PAK (TO-263AB)
Effekttab (maks.)
214W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
100V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.2 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 180µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
139nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
9200pF @ 50V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 20957 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afIPB06CN10N G
IPB06CN10N G Elektroniske komponenter
IPB06CN10N G Salg
IPB06CN10N G Leverandør
IPB06CN10N G Distributør
IPB06CN10N G Datatabel
IPB06CN10N G Fotos
IPB06CN10N G Pris
IPB06CN10N G Tilbud
IPB06CN10N G Laveste pris
IPB06CN10N G Søg
IPB06CN10N G Indkøb
IPB06CN10N G Chip