IPB083N15N5LFATMA1
MOSFET N-CH 150V 105A TO263-3
Varenummer
IPB083N15N5LFATMA1
Producent/Mærke
Serie
OptiMOS™
Del status
Active
Emballage
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverandørenhedspakke
D²PAK (TO-263AB)
Effekttab (maks.)
179W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
150V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.3 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.9V @ 134µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
45nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
210pF @ 75V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 11705 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afIPB083N15N5LFATMA1
IPB083N15N5LFATMA1 Elektroniske komponenter
IPB083N15N5LFATMA1 Salg
IPB083N15N5LFATMA1 Leverandør
IPB083N15N5LFATMA1 Distributør
IPB083N15N5LFATMA1 Datatabel
IPB083N15N5LFATMA1 Fotos
IPB083N15N5LFATMA1 Pris
IPB083N15N5LFATMA1 Tilbud
IPB083N15N5LFATMA1 Laveste pris
IPB083N15N5LFATMA1 Søg
IPB083N15N5LFATMA1 Indkøb
IPB083N15N5LFATMA1 Chip