IPB12CN10N G
MOSFET N-CH 100V 67A TO263-3
Varenummer
IPB12CN10N G
Producent/Mærke
Serie
OptiMOS™
Del status
Obsolete
Emballage
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverandørenhedspakke
D²PAK (TO-263AB)
Effekttab (maks.)
125W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
100V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12.6 mOhm @ 67A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 83µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
65nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4320pF @ 50V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 48169 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afIPB12CN10N G
IPB12CN10N G Elektroniske komponenter
IPB12CN10N G Salg
IPB12CN10N G Leverandør
IPB12CN10N G Distributør
IPB12CN10N G Datatabel
IPB12CN10N G Fotos
IPB12CN10N G Pris
IPB12CN10N G Tilbud
IPB12CN10N G Laveste pris
IPB12CN10N G Søg
IPB12CN10N G Indkøb
IPB12CN10N G Chip