IPB147N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 20A TO263-3
Varenummer
IPB147N03LGATMA1
Producent/Mærke
Serie
OptiMOS™
Del status
Obsolete
Emballage
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverandørenhedspakke
D²PAK (TO-263AB)
Effekttab (maks.)
31W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
30V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14.7 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1000pF @ 15V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (maks.)
±20V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 27959 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afIPB147N03LGATMA1
IPB147N03LGATMA1 Elektroniske komponenter
IPB147N03LGATMA1 Salg
IPB147N03LGATMA1 Leverandør
IPB147N03LGATMA1 Distributør
IPB147N03LGATMA1 Datatabel
IPB147N03LGATMA1 Fotos
IPB147N03LGATMA1 Pris
IPB147N03LGATMA1 Tilbud
IPB147N03LGATMA1 Laveste pris
IPB147N03LGATMA1 Søg
IPB147N03LGATMA1 Indkøb
IPB147N03LGATMA1 Chip