IPB26CNE8N G
MOSFET N-CH 85V 35A TO263-3
Varenummer
IPB26CNE8N G
Producent/Mærke
Serie
OptiMOS™
Del status
Discontinued at Digi-Key
Emballage
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverandørenhedspakke
D²PAK (TO-263AB)
Effekttab (maks.)
71W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
85V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
26 mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 39µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
31nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2070pF @ 40V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 51913 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afIPB26CNE8N G
IPB26CNE8N G Elektroniske komponenter
IPB26CNE8N G Salg
IPB26CNE8N G Leverandør
IPB26CNE8N G Distributør
IPB26CNE8N G Datatabel
IPB26CNE8N G Fotos
IPB26CNE8N G Pris
IPB26CNE8N G Tilbud
IPB26CNE8N G Laveste pris
IPB26CNE8N G Søg
IPB26CNE8N G Indkøb
IPB26CNE8N G Chip