IPB60R190C6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO263
Varenummer
IPB60R190C6ATMA1
Producent/Mærke
Serie
CoolMOS™
Del status
Not For New Designs
Emballage
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverandørenhedspakke
D²PAK (TO-263AB)
Effekttab (maks.)
151W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
600V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
190 mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 630µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
63nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1400pF @ 100V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 43756 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afIPB60R190C6ATMA1
IPB60R190C6ATMA1 Elektroniske komponenter
IPB60R190C6ATMA1 Salg
IPB60R190C6ATMA1 Leverandør
IPB60R190C6ATMA1 Distributør
IPB60R190C6ATMA1 Datatabel
IPB60R190C6ATMA1 Fotos
IPB60R190C6ATMA1 Pris
IPB60R190C6ATMA1 Tilbud
IPB60R190C6ATMA1 Laveste pris
IPB60R190C6ATMA1 Søg
IPB60R190C6ATMA1 Indkøb
IPB60R190C6ATMA1 Chip