IPB60R250CPATMA1
MOSFET N-CH 650V 12A TO263-3
Varenummer
IPB60R250CPATMA1
Producent/Mærke
Serie
CoolMOS™
Del status
Obsolete
Emballage
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverandørenhedspakke
PG-TO263-3-2
Effekttab (maks.)
104W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
650V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
250 mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 440µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1200pF @ 100V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 5017 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afIPB60R250CPATMA1
IPB60R250CPATMA1 Elektroniske komponenter
IPB60R250CPATMA1 Salg
IPB60R250CPATMA1 Leverandør
IPB60R250CPATMA1 Distributør
IPB60R250CPATMA1 Datatabel
IPB60R250CPATMA1 Fotos
IPB60R250CPATMA1 Pris
IPB60R250CPATMA1 Tilbud
IPB60R250CPATMA1 Laveste pris
IPB60R250CPATMA1 Søg
IPB60R250CPATMA1 Indkøb
IPB60R250CPATMA1 Chip