IPD068N10N3GBTMA1
MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
Varenummer
IPD068N10N3GBTMA1
Producent/Mærke
Serie
OptiMOS™
Del status
Obsolete
Emballage
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverandørenhedspakke
PG-TO252-3
Effekttab (maks.)
150W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
100V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.8 mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 90µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
68nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4910pF @ 50V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Vgs (maks.)
±20V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 33878 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afIPD068N10N3GBTMA1
IPD068N10N3GBTMA1 Elektroniske komponenter
IPD068N10N3GBTMA1 Salg
IPD068N10N3GBTMA1 Leverandør
IPD068N10N3GBTMA1 Distributør
IPD068N10N3GBTMA1 Datatabel
IPD068N10N3GBTMA1 Fotos
IPD068N10N3GBTMA1 Pris
IPD068N10N3GBTMA1 Tilbud
IPD068N10N3GBTMA1 Laveste pris
IPD068N10N3GBTMA1 Søg
IPD068N10N3GBTMA1 Indkøb
IPD068N10N3GBTMA1 Chip