IPD320N20N3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 34A
Varenummer
IPD320N20N3GATMA1
Producent/Mærke
Serie
OptiMOS™
Del status
Active
Emballage
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverandørenhedspakke
PG-TO252-3
Effekttab (maks.)
136W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
200V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
32 mOhm @ 34A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 90µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
29nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2350pF @ 100V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 53614 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afIPD320N20N3GATMA1
IPD320N20N3GATMA1 Elektroniske komponenter
IPD320N20N3GATMA1 Salg
IPD320N20N3GATMA1 Leverandør
IPD320N20N3GATMA1 Distributør
IPD320N20N3GATMA1 Datatabel
IPD320N20N3GATMA1 Fotos
IPD320N20N3GATMA1 Pris
IPD320N20N3GATMA1 Tilbud
IPD320N20N3GATMA1 Laveste pris
IPD320N20N3GATMA1 Søg
IPD320N20N3GATMA1 Indkøb
IPD320N20N3GATMA1 Chip