IPD50R399CP
MOSFET N-CH 550V 9A TO-252
Varenummer
IPD50R399CP
Producent/Mærke
Serie
CoolMOS™
Del status
Obsolete
Emballage
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverandørenhedspakke
PG-TO252-3
Effekttab (maks.)
83W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
550V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
399 mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 330µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
23nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
890pF @ 100V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 35142 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afIPD50R399CP
IPD50R399CP Elektroniske komponenter
IPD50R399CP Salg
IPD50R399CP Leverandør
IPD50R399CP Distributør
IPD50R399CP Datatabel
IPD50R399CP Fotos
IPD50R399CP Pris
IPD50R399CP Tilbud
IPD50R399CP Laveste pris
IPD50R399CP Søg
IPD50R399CP Indkøb
IPD50R399CP Chip