IPD60R650CEBTMA1
MOSFET N-CH 600V 7A TO252
Varenummer
IPD60R650CEBTMA1
Producent/Mærke
Serie
CoolMOS™ CE
Del status
Discontinued at Digi-Key
Emballage
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverandørenhedspakke
PG-TO252-3
Effekttab (maks.)
82W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
600V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
650 mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 200µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
20.5nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
440pF @ 100V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 11908 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afIPD60R650CEBTMA1
IPD60R650CEBTMA1 Elektroniske komponenter
IPD60R650CEBTMA1 Salg
IPD60R650CEBTMA1 Leverandør
IPD60R650CEBTMA1 Distributør
IPD60R650CEBTMA1 Datatabel
IPD60R650CEBTMA1 Fotos
IPD60R650CEBTMA1 Pris
IPD60R650CEBTMA1 Tilbud
IPD60R650CEBTMA1 Laveste pris
IPD60R650CEBTMA1 Søg
IPD60R650CEBTMA1 Indkøb
IPD60R650CEBTMA1 Chip