IPG20N10S4L22ATMA1
MOSFET 2N-CH 8TDSON
Varenummer
IPG20N10S4L22ATMA1
Producent/Mærke
Serie
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Del status
Active
Emballage
Cut Tape (CT)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
8-PowerVDFN
Effekt - Maks
60W
Leverandørenhedspakke
PG-TDSON-8-4
FET type
2 N-Channel (Dual)
FET-funktion
Logic Level Gate
Dræn til kildespænding (Vdss)
100V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
22 mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
27nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1755pF @ 25V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 40004 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afIPG20N10S4L22ATMA1
IPG20N10S4L22ATMA1 Elektroniske komponenter
IPG20N10S4L22ATMA1 Salg
IPG20N10S4L22ATMA1 Leverandør
IPG20N10S4L22ATMA1 Distributør
IPG20N10S4L22ATMA1 Datatabel
IPG20N10S4L22ATMA1 Fotos
IPG20N10S4L22ATMA1 Pris
IPG20N10S4L22ATMA1 Tilbud
IPG20N10S4L22ATMA1 Laveste pris
IPG20N10S4L22ATMA1 Søg
IPG20N10S4L22ATMA1 Indkøb
IPG20N10S4L22ATMA1 Chip