IPI60R250CPAKSA1
MOSFET N-CH 650V 12A TO-262
Varenummer
IPI60R250CPAKSA1
Producent/Mærke
Serie
CoolMOS™
Del status
Obsolete
Emballage
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke/etui
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Leverandørenhedspakke
PG-TO262-3
Effekttab (maks.)
104W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
650V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
250 mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 440µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1200pF @ 100V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 24660 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afIPI60R250CPAKSA1
IPI60R250CPAKSA1 Elektroniske komponenter
IPI60R250CPAKSA1 Salg
IPI60R250CPAKSA1 Leverandør
IPI60R250CPAKSA1 Distributør
IPI60R250CPAKSA1 Datatabel
IPI60R250CPAKSA1 Fotos
IPI60R250CPAKSA1 Pris
IPI60R250CPAKSA1 Tilbud
IPI60R250CPAKSA1 Laveste pris
IPI60R250CPAKSA1 Søg
IPI60R250CPAKSA1 Indkøb
IPI60R250CPAKSA1 Chip