IRF1018ESLPBF
MOSFET N-CH 60V 79A TO-262
Varenummer
IRF1018ESLPBF
Producent/Mærke
Serie
HEXFET®
Del status
Obsolete
Emballage
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke/etui
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Leverandørenhedspakke
TO-262
Effekttab (maks.)
110W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
60V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.4 mOhm @ 47A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
69nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2290pF @ 50V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 18210 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afIRF1018ESLPBF
IRF1018ESLPBF Elektroniske komponenter
IRF1018ESLPBF Salg
IRF1018ESLPBF Leverandør
IRF1018ESLPBF Distributør
IRF1018ESLPBF Datatabel
IRF1018ESLPBF Fotos
IRF1018ESLPBF Pris
IRF1018ESLPBF Tilbud
IRF1018ESLPBF Laveste pris
IRF1018ESLPBF Søg
IRF1018ESLPBF Indkøb
IRF1018ESLPBF Chip