IRF5210PBF
MOSFET P-CH 100V 40A TO-220AB
Varenummer
IRF5210PBF
Producent/Mærke
Serie
HEXFET®
Del status
Active
Emballage
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke/etui
TO-220-3
Leverandørenhedspakke
TO-220AB
Effekttab (maks.)
200W (Tc)
FET type
P-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
100V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
60 mOhm @ 24A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
180nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2700pF @ 25V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 29497 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afIRF5210PBF
IRF5210PBF Elektroniske komponenter
IRF5210PBF Salg
IRF5210PBF Leverandør
IRF5210PBF Distributør
IRF5210PBF Datatabel
IRF5210PBF Fotos
IRF5210PBF Pris
IRF5210PBF Tilbud
IRF5210PBF Laveste pris
IRF5210PBF Søg
IRF5210PBF Indkøb
IRF5210PBF Chip