IRF6710S2TR1PBF
MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET
Varenummer
IRF6710S2TR1PBF
Producent/Mærke
Serie
HEXFET®
Del status
Obsolete
Emballage
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
DirectFET™ Isometric S1
Leverandørenhedspakke
DIRECTFET S1
Effekttab (maks.)
1.8W (Ta), 15W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
25V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
12A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.9 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
13nC @ 4.5V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1190pF @ 13V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (maks.)
±20V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 34499 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afIRF6710S2TR1PBF
IRF6710S2TR1PBF Elektroniske komponenter
IRF6710S2TR1PBF Salg
IRF6710S2TR1PBF Leverandør
IRF6710S2TR1PBF Distributør
IRF6710S2TR1PBF Datatabel
IRF6710S2TR1PBF Fotos
IRF6710S2TR1PBF Pris
IRF6710S2TR1PBF Tilbud
IRF6710S2TR1PBF Laveste pris
IRF6710S2TR1PBF Søg
IRF6710S2TR1PBF Indkøb
IRF6710S2TR1PBF Chip