IRF6893MTR1PBF
MOSFET N-CH 25V 29A MX
Varenummer
IRF6893MTR1PBF
Producent/Mærke
Serie
HEXFET®
Del status
Obsolete
Emballage
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
DirectFET™ Isometric MX
Leverandørenhedspakke
DIRECTFET™ MX
Effekttab (maks.)
2.1W (Ta), 69W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
25V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
29A (Ta), 168A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.6 mOhm @ 29A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
38nC @ 4.5V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3480pF @ 13V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (maks.)
±16V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 49525 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afIRF6893MTR1PBF
IRF6893MTR1PBF Elektroniske komponenter
IRF6893MTR1PBF Salg
IRF6893MTR1PBF Leverandør
IRF6893MTR1PBF Distributør
IRF6893MTR1PBF Datatabel
IRF6893MTR1PBF Fotos
IRF6893MTR1PBF Pris
IRF6893MTR1PBF Tilbud
IRF6893MTR1PBF Laveste pris
IRF6893MTR1PBF Søg
IRF6893MTR1PBF Indkøb
IRF6893MTR1PBF Chip