IRLR3110ZPBF
MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
Varenummer
IRLR3110ZPBF
Producent/Mærke
Serie
HEXFET®
Del status
Not For New Designs
Emballage
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverandørenhedspakke
D-Pak
Effekttab (maks.)
140W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
100V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14 mOhm @ 38A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
48nC @ 4.5V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3980pF @ 25V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (maks.)
±16V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 11404 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afIRLR3110ZPBF
IRLR3110ZPBF Elektroniske komponenter
IRLR3110ZPBF Salg
IRLR3110ZPBF Leverandør
IRLR3110ZPBF Distributør
IRLR3110ZPBF Datatabel
IRLR3110ZPBF Fotos
IRLR3110ZPBF Pris
IRLR3110ZPBF Tilbud
IRLR3110ZPBF Laveste pris
IRLR3110ZPBF Søg
IRLR3110ZPBF Indkøb
IRLR3110ZPBF Chip