IXFA4N100Q
MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263
Varenummer
IXFA4N100Q
Producent/Mærke
Serie
HiPerFET™
Del status
Active
Emballage
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverandørenhedspakke
TO-263 (IXFA)
Effekttab (maks.)
150W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
1000V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3 Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
39nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1050pF @ 25V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 39509 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afIXFA4N100Q
IXFA4N100Q Elektroniske komponenter
IXFA4N100Q Salg
IXFA4N100Q Leverandør
IXFA4N100Q Distributør
IXFA4N100Q Datatabel
IXFA4N100Q Fotos
IXFA4N100Q Pris
IXFA4N100Q Tilbud
IXFA4N100Q Laveste pris
IXFA4N100Q Søg
IXFA4N100Q Indkøb
IXFA4N100Q Chip