IXFH12N100P
MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247
Varenummer
IXFH12N100P
Producent/Mærke
Serie
HiPerFET™, PolarP2™
Del status
Active
Emballage
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke/etui
TO-247-3
Leverandørenhedspakke
TO-247AD (IXFH)
Effekttab (maks.)
463W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
1000V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.05 Ohm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
80nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4080pF @ 25V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 50816 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afIXFH12N100P
IXFH12N100P Elektroniske komponenter
IXFH12N100P Salg
IXFH12N100P Leverandør
IXFH12N100P Distributør
IXFH12N100P Datatabel
IXFH12N100P Fotos
IXFH12N100P Pris
IXFH12N100P Tilbud
IXFH12N100P Laveste pris
IXFH12N100P Søg
IXFH12N100P Indkøb
IXFH12N100P Chip