IXFH58N20Q
MOSFET N-CH 200V 58A TO-247AD
Varenummer
IXFH58N20Q
Producent/Mærke
Serie
HiPerFET™
Del status
Last Time Buy
Emballage
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke/etui
TO-247-3
Leverandørenhedspakke
TO-247AD (IXFH)
Effekttab (maks.)
300W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
200V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
40 mOhm @ 29A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
140nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3600pF @ 25V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 26887 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afIXFH58N20Q
IXFH58N20Q Elektroniske komponenter
IXFH58N20Q Salg
IXFH58N20Q Leverandør
IXFH58N20Q Distributør
IXFH58N20Q Datatabel
IXFH58N20Q Fotos
IXFH58N20Q Pris
IXFH58N20Q Tilbud
IXFH58N20Q Laveste pris
IXFH58N20Q Søg
IXFH58N20Q Indkøb
IXFH58N20Q Chip