IXFH80N65X2-4
MOSFET N-CH
Varenummer
IXFH80N65X2-4
Producent/Mærke
Serie
HiPerFET™
Del status
Active
Emballage
-
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke/etui
TO-247-4
Leverandørenhedspakke
TO-247-4L
Effekttab (maks.)
890W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
650V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
38 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
140nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
8300pF @ 25V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 46716 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afIXFH80N65X2-4
IXFH80N65X2-4 Elektroniske komponenter
IXFH80N65X2-4 Salg
IXFH80N65X2-4 Leverandør
IXFH80N65X2-4 Distributør
IXFH80N65X2-4 Datatabel
IXFH80N65X2-4 Fotos
IXFH80N65X2-4 Pris
IXFH80N65X2-4 Tilbud
IXFH80N65X2-4 Laveste pris
IXFH80N65X2-4 Søg
IXFH80N65X2-4 Indkøb
IXFH80N65X2-4 Chip