IXFK30N110P
MOSFET N-CH 1100V 30A TO-264
Varenummer
IXFK30N110P
Producent/Mærke
Serie
HiPerFET™, PolarP2™
Del status
Active
Emballage
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke/etui
TO-264-3, TO-264AA
Leverandørenhedspakke
TO-264AA (IXFK)
Effekttab (maks.)
960W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
1100V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
360 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
235nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
13600pF @ 25V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 37726 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afIXFK30N110P
IXFK30N110P Elektroniske komponenter
IXFK30N110P Salg
IXFK30N110P Leverandør
IXFK30N110P Distributør
IXFK30N110P Datatabel
IXFK30N110P Fotos
IXFK30N110P Pris
IXFK30N110P Tilbud
IXFK30N110P Laveste pris
IXFK30N110P Søg
IXFK30N110P Indkøb
IXFK30N110P Chip