Billedet kan være en repræsentation.
Se specifikationer for produktdetaljer.
IXFK360N10T

IXFK360N10T

MOSFET N-CH 100V 360A TO-264
Varenummer
IXFK360N10T
Producent/Mærke
Serie
GigaMOS™ HiPerFET™
Del status
Active
Emballage
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke/etui
TO-264-3, TO-264AA
Leverandørenhedspakke
TO-264AA (IXFK)
Effekttab (maks.)
1250W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
100V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
360A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.9 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 3mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
525nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
33000pF @ 25V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 26867 PCS
Kontakt information
Nøgleord afIXFK360N10T
IXFK360N10T Elektroniske komponenter
IXFK360N10T Salg
IXFK360N10T Leverandør
IXFK360N10T Distributør
IXFK360N10T Datatabel
IXFK360N10T Fotos
IXFK360N10T Pris
IXFK360N10T Tilbud
IXFK360N10T Laveste pris
IXFK360N10T Søg
IXFK360N10T Indkøb
IXFK360N10T Chip