IXFR200N10P
MOSFET N-CH 100V 133A ISOPLUS247
Varenummer
IXFR200N10P
Producent/Mærke
Serie
HiPerFET™, PolarP2™
Del status
Active
Emballage
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke/etui
ISOPLUS247™
Leverandørenhedspakke
ISOPLUS247™
Effekttab (maks.)
300W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
100V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
133A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
235nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
7600pF @ 25V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 27527 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afIXFR200N10P
IXFR200N10P Elektroniske komponenter
IXFR200N10P Salg
IXFR200N10P Leverandør
IXFR200N10P Distributør
IXFR200N10P Datatabel
IXFR200N10P Fotos
IXFR200N10P Pris
IXFR200N10P Tilbud
IXFR200N10P Laveste pris
IXFR200N10P Søg
IXFR200N10P Indkøb
IXFR200N10P Chip