IXFX30N110P
MOSFET N-CH 1100V 30A PLUS247
Varenummer
IXFX30N110P
Producent/Mærke
Serie
HiPerFET™, PolarP2™
Del status
Active
Emballage
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke/etui
TO-247-3
Leverandørenhedspakke
PLUS247™-3
Effekttab (maks.)
960W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
1100V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
360 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
235nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
13600pF @ 25V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 21270 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afIXFX30N110P
IXFX30N110P Elektroniske komponenter
IXFX30N110P Salg
IXFX30N110P Leverandør
IXFX30N110P Distributør
IXFX30N110P Datatabel
IXFX30N110P Fotos
IXFX30N110P Pris
IXFX30N110P Tilbud
IXFX30N110P Laveste pris
IXFX30N110P Søg
IXFX30N110P Indkøb
IXFX30N110P Chip