Billedet kan være en repræsentation.
Se specifikationer for produktdetaljer.
IXTA18P10T

IXTA18P10T

MOSFET P-CH 100V 18A TO-263
Varenummer
IXTA18P10T
Producent/Mærke
Serie
TrenchP™
Del status
Active
Emballage
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverandørenhedspakke
TO-263 (IXTA)
Effekttab (maks.)
83W (Tc)
FET type
P-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
100V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
120 mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
39nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2100pF @ 25V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (maks.)
±15V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 50788 PCS
Kontakt information
Nøgleord afIXTA18P10T
IXTA18P10T Elektroniske komponenter
IXTA18P10T Salg
IXTA18P10T Leverandør
IXTA18P10T Distributør
IXTA18P10T Datatabel
IXTA18P10T Fotos
IXTA18P10T Pris
IXTA18P10T Tilbud
IXTA18P10T Laveste pris
IXTA18P10T Søg
IXTA18P10T Indkøb
IXTA18P10T Chip