IXTA1N200P3HV
MOSFET N-CH 2000V 1A TO-263HV
Varenummer
IXTA1N200P3HV
Producent/Mærke
Serie
-
Del status
Active
Emballage
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverandørenhedspakke
TO-263 (IXTA)
Effekttab (maks.)
125W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
2000V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
40 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
23.5nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
646pF @ 25V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til chen_hx1688@hotmail.com, vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 32658 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afIXTA1N200P3HV
IXTA1N200P3HV Elektroniske komponenter
IXTA1N200P3HV Salg
IXTA1N200P3HV Leverandør
IXTA1N200P3HV Distributør
IXTA1N200P3HV Datatabel
IXTA1N200P3HV Fotos
IXTA1N200P3HV Pris
IXTA1N200P3HV Tilbud
IXTA1N200P3HV Laveste pris
IXTA1N200P3HV Søg
IXTA1N200P3HV Indkøb
IXTA1N200P3HV Chip